功率器材通过调理改动电子元器材的功率来完成电源开关和电能转化的功用，大多数表现在变频、整流、变压、开关等方面。其使用场景规模广泛，包含工控、风电、光伏、电动轿车与充电桩、轨交、消费电子等范畴。一般低压IGBT常用于变频白色家电、新能源轿车零部件等范畴；中压IGBT常用于工业操控、新能源轿车等范畴；高压IGBT常用于轨道交通、电网等范畴。

  长期以来，全球IGBT商场高度集中在海外厂商手中，英飞凌、富士电机、三菱三家企业占有超越50%以上的商场份额。

  在我国高铁高速扩张的年代，2006年，为满意我国电力机车的发展需要，中车株洲所以高于世界商场3倍的价格，买到了一批IGBT芯片。但是在芯片被封装好送上试验台做根底测验时，芯片居然炸了。其时，国外售后人员矢口不移，是工作人员操作不妥引起的。这以后，通过国内专家重复证明，得出令人心痛的定论：“高价买的这批芯片是他人生产中的残次品。”尔后，中车株洲所痛下决心自研IGBT，通过十年攻关，中车株洲所自主研发了国内首条、全球第二条8英寸IGBT芯片生产线年，国内首条第三代功率半导体器材6英寸SiC芯片生产线第一批芯片试制成功，成为其时世界SiC芯片生产线的最高规范生产线。与IGBT比较，SiC能够有显着效果地进步体系功率，下降能耗，减小体系设备体积与分量，进步体系可靠性，可使高速列车电力转化损耗下降30%至50%。

  依据Omdia数据，2021年全球IGBT单管商场中，我国大陆企业士兰微进入前十大厂商中，占有4%的商场占有率；而在全球IGBT模块商场中，我国大陆有斯达半导和中车年代进入前十大厂商，别离占有3%和2%。

  我国IGBT工业起步较晚，国内IDM形式的公司尽管较少，但在方针的鼓舞下，我国IGBT工业发展迅速，比亚迪半导、士兰微、中车年代电气等公司已在全球商场中占有必定的商场份额。

  据统计，2023年我国IGBT产值到达3624万只，IGBT自给率超越30%。

  尽管我国的IGBT芯片无法与国外一流厂商比较较，但这块电子电力行业的“CPU”再不是工业皇冠上的明珠了，更不是卡咱们脖子的黑手！